55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRLZ34N is an N-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRLZ34N  
### **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Package:** TO-220AB  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET MOSFET technology  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for high efficiency  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- 100% tested for R_DS(on)  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Battery management systems  
- Automotive applications  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet.