55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRLZ34NPBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRLZ34NPBF  

### **Description:**  
The IRLZ34NPBF is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of Infineon's HEXFET family, optimized for low on-resistance and high efficiency.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 35mΩ at V_GS = 10V  
  - 44mΩ at V_GS = 5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET technology for high efficiency  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.