HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035Ω , ID = 30A ) The IRLZ34NSPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 35mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRLZ34NSPBF is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low Gate Charge** for fast switching  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

The device is available in a TO-220AB package.  

(Source: Infineon Technologies IRLZ34NSPBF Datasheet)