60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRLZ34PBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 35mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  

### **Descriptions:**
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Application:** Designed for high-efficiency switching applications, including power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in harsh conditions.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures reliable performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is widely used in power management circuits due to its high current handling and low conduction losses.