HIGH AND LOW SIDE DRIVER The IRS2011PBF is a high-speed, high-voltage power MOSFET and IGBT driver IC manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRS2011PBF  
- **Type:** High-speed, high-voltage half-bridge driver  
- **Output Current (Source/Sink):** 290mA / 600mA  
- **Supply Voltage (VCC):** 10V to 20V  
- **High-Side Floating Supply Voltage (VB):** Up to 600V  
- **Logic Input Voltage (VIN):** 5V TTL/CMOS compatible  
- **Propagation Delay (Typical):** 120ns  
- **Dead Time (Internal):** 520ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** 8-Pin PDIP  

### **Descriptions:**  
- The IRS2011PBF is designed to drive high-speed MOSFETs and IGBTs in half-bridge configurations.  
- It features high noise immunity and integrated dead-time control to prevent shoot-through.  
- The driver includes undervoltage lockout (UVLO) protection for both high-side and low-side outputs.  

### **Features:**  
- **High-Side and Low-Side Driver:** Independent high- and low-side referenced output channels.  
- **Floating High-Side Drive:** Allows operation with bootstrap or isolated supplies.  
- **CMOS/TTL Compatible Inputs:** Supports logic-level control signals.  
- **Undervoltage Lockout (UVLO):** Ensures proper gate drive under low-voltage conditions.  
- **Matched Propagation Delay:** Minimizes dead time and improves efficiency.  
- **Internal Dead-Time Control:** Prevents cross-conduction in half-bridge applications.  
- **High Noise Immunity:** Robust against transient voltage spikes.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRS2011PBF.