Half Bridge Driver, Separate High and Low Side Inputs, Inverting Low Side Input, Fixed 520ns Deadtime in a 8-Lead package The IRS2103STRPBF is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver from Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Output Configuration:** Half-Bridge  
- **Input Type:** Non-Inverting  
- **Rise Time (Typ):** 120ns  
- **Fall Time (Typ):** 90ns  
- **Peak Output Current:** ±290mA  
- **Supply Voltage (Vcc):** 10V to 20V  
- **High-Side Voltage (Vbs):** Up to 600V  
- **Propagation Delay:** 180ns (Typ)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
The IRS2103STRPBF is a high-voltage driver IC designed for driving both high-side and low-side N-channel MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration. It features a floating channel for high-side operation and includes under-voltage lockout (UVLO) protection for both high-side and low-side drivers.  

### **Features:**  
- **Floating Channel Design:** Enables bootstrap operation for high-side driving.  
- **Under-Voltage Lockout (UVLO):** Protects against insufficient supply voltage.  
- **Matched Propagation Delay:** Ensures minimal dead time.  
- **3.3V, 5V, and 15V Logic Input Compatible:** Works with various control signals.  
- **Cross-Conduction Prevention:** Internal dead-time control.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for efficiency.  
- **SOIC-8 Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.