HALF-BRIDGE DRIVER The IRS2104PBF is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** High- and Low-Side Driver  
- **Output Current (Source/Sink):** 210 mA / 420 mA  
- **Supply Voltage (V_CC):** 10V to 20V  
- **High-Side Voltage (V_S):** Up to 600V  
- **Logic Input Voltage (V_IN):** 3.3V, 5V, and 15V compatible  
- **Propagation Delay (t_d):** 120 ns (typical)  
- **Deadtime (t_dead):** 540 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** 8-Pin PDIP  

### **Descriptions:**  
- The IRS2104PBF is a high-voltage driver IC designed for driving both high-side and low-side N-channel MOSFETs or IGBTs in half-bridge or full-bridge configurations.  
- It features a floating high-side driver capable of handling up to 600V and includes built-in deadtime to prevent shoot-through.  
- The device is optimized for high-frequency switching applications such as motor drives, power supplies, and inverters.  

### **Features:**  
- **Floating High-Side Driver:** Enables driving of high-side MOSFETs/IGBTs in half-bridge applications.  
- **3.3V, 5V, and 15V Logic Compatible Inputs:** Supports interfacing with microcontrollers and logic circuits.  
- **Matched Propagation Delay:** Ensures precise timing between high-side and low-side switches.  
- **Built-in Deadtime:** Prevents cross-conduction in half-bridge configurations.  
- **Undervoltage Lockout (UVLO):** Protects against low-voltage conditions on both high-side and low-side drivers.  
- **High Noise Immunity:** Robust design for operation in noisy environments.  

For detailed application notes and further technical information, refer to the official Infineon datasheet.