High Side and Dual Low Side The IRS21952SPBF is a high-speed power MOSFET and IGBT driver manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Output Current (Source/Sink):** 2.0A / 2.0A  
- **Supply Voltage (VCC):** 10V to 20V  
- **Logic Input Voltage (VIH/VIL):** 2.5V (min) / 0.8V (max)  
- **Propagation Delay (tPD):** 120ns (typical)  
- **Dead Time (Programmable):** Yes  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** 8-Pin SOIC  

### **Descriptions:**  
- The IRS21952SPBF is a high-voltage, high-speed driver designed for driving both high-side and low-side N-channel MOSFETs and IGBTs in half-bridge configurations.  
- It includes a floating channel for bootstrap operation and features undervoltage lockout (UVLO) protection for both high-side and low-side drivers.  

### **Features:**  
- **Independent High- and Low-Side Outputs**  
- **Matched Propagation Delay** for both channels  
- **3.3V, 5V, and 15V Logic Input Compatible**  
- **Programmable Dead Time** to prevent shoot-through  
- **Undervoltage Lockout (UVLO)** for both channels  
- **CMOS Schmitt-Triggered Inputs** for improved noise immunity  
- **Low Di/dt Gate Driver** to reduce EMI  

This driver is commonly used in motor control, power supplies, and inverters.  

(Source: Infineon Technologies datasheet for IRS21952SPBF.)