1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100-60TL is a high-speed CMOS synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI). Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16 Megabits (1M x 16-bit)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Speed:** 60 ns (6ns clock cycle time at 166 MHz)  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Package:** 54-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply.  
- Internal pipelined architecture for high-speed data transfer.  
- Supports burst read and write operations.  
- Auto Refresh (CBR) and Self Refresh modes available.  
- Programmable CAS Latency (2 or 3 cycles).  
- Compatible with JEDEC-standard SDRAM specifications.  

### **Features:**
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full-page.  
- **CAS Latency Options:** 2 or 3.  
- **Data Mask (DM) for write control.**  
- **Low-power standby and sleep modes.**  
- **Automatic precharge and burst termination.**  
- **RoHS compliant.**  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring high-speed memory access.

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE