1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100A-50TI is a high-speed 16Mbit (1M x 16) CMOS SRAM manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16Mbit (1M words × 16 bits)
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits
- **Access Time:** 50 ns
- **Operating Voltage:** 3.3V (±10%)
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C (Industrial)
- **Package:** 44-pin TSOP II (Thin Small Outline Package)
- **I/O Type:** 3.3V CMOS-compatible
- **Standby Current:** Low power consumption in standby mode (typically 10 µA)

### **Descriptions:**
- **Type:** Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM)
- **Functionality:** Non-volatile memory with high-speed read/write operations.
- **Applications:** Suitable for embedded systems, networking equipment, telecommunications, and industrial applications requiring fast access and low power consumption.

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 50 ns access time.
- **Low Power Consumption:** 
  - Active current: 90 mA (typical)
  - Standby current: 10 µA (typical)
- **Wide Operating Voltage:** 3.3V ±10%.
- **Fully Static Operation:** No refresh required.
- **Tri-State Outputs:** Allows direct connection to a common bus.
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs.**
- **Industrial Temperature Range:** -40°C to +85°C.
- **Reliable Data Retention:** Ensures stability in harsh environments.

This SRAM is designed for applications requiring fast, low-power, and high-density memory solutions.