1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100B-50KL is a 16Mbit (1M x 16) CMOS Dynamic RAM (DRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16Mbit (1,048,576 words × 16 bits)  
- **Organization:** 1M × 16  
- **Access Time:** 50ns  
- **Operating Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Refresh Cycles:** 1,024 refresh cycles every 16ms (CAS-before-RAS or self-refresh)  
- **Package:** 50-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Interface:** Fully synchronous with a single 3.3V power supply  
- **Refresh Modes:** Supports both CAS-before-RAS (CBR) and hidden refresh  
- **Burst Mode:** Supports programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **Auto Precharge:** Supports auto precharge for improved efficiency  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:** Operates at 3.3V with power-down and standby modes  
- **High-Speed Operation:** 50ns access time for fast data retrieval  
- **Burst Read/Write:** Enhances performance with sequential data access  
- **Single 3.3V Supply:** Simplifies power management  
- **Compatible with JEDEC Standards:** Ensures industry-standard compliance  
- **Auto Refresh & Self-Refresh:** Reduces external refresh overhead  

This DRAM is commonly used in applications requiring moderate-speed memory with low power consumption, such as embedded systems, networking devices, and consumer electronics.