1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100B-50TI is a high-speed CMOS synchronous dynamic RAM (SDRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16 Megabits (1M x 16-bit)
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits
- **Speed:** 50 ns access time
- **Operating Voltage:** 3.3V ± 0.3V
- **Package:** 50-pin TSOP II (Thin Small Outline Package)
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64 ms
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C (Industrial)

### **Descriptions:**
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)
- **Interface:** Fully synchronous with a single 3.3V power supply
- **Burst Mode:** Supports programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page)
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles)
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports both modes for power management
- **Command Set:** Standard SDRAM commands (ACTIVE, READ, WRITE, PRECHARGE, etc.)

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** 50 ns access time, supports up to 100 MHz clock frequency
- **Low Power Consumption:** Standby and active power-saving modes
- **Burst Read/Write:** Enhances data transfer efficiency
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with low-voltage systems
- **Industrial Temperature Range:** Suitable for harsh environments
- **Compliant with JEDEC Standards:** Ensures compatibility with industry specifications

This SDRAM is commonly used in applications requiring high-speed memory, such as networking equipment, telecommunications, embedded systems, and industrial electronics.