1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100B-50TL is a 16Mbit (1M x 16) CMOS dynamic random-access memory (DRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.).  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 16Mbit (1 Meg x 16)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Access Time:** 50 ns  
- **Operating Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Package:** 50-pin TSOP (Type II)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Current: 120mA (typical)  
  - Standby Current: 5mA (typical)  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required for data retention in standby mode.  
- **CAS-before-RAS (CBR) Refresh:** Supports both CBR and self-refresh modes.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with low-voltage systems.  
- **Fast Page Mode Operation:** Enhances access speed for sequential data.  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs:** Ensures easy interfacing with standard logic.  
- **Auto & Self-Refresh:** Reduces power consumption in battery-powered applications.  

This DRAM is commonly used in embedded systems, networking equipment, and other applications requiring moderate-speed, low-power memory.

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE