1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The **IS41LV16100B-50TLI** is a high-speed CMOS synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by **Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)**. Below are the key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Density:** 16Mbit (1M x 16)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** 50ns (5ns access time from clock rise)  
- **Operating Frequency:** Up to 100MHz  
- **Package:** 50-pin TSOP II (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **CAS Latency:** 2 or 3 (programmable)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page (programmable)  

### **Descriptions:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **Burst Read & Write:** Supports sequential data access.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  

### **Features:**  
- **Fully Synchronous:** All signals referenced to a positive clock edge.  
- **Programmable Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page.  
- **Auto Precharge:** Option for automatic row precharge.  
- **Low Power Consumption:** Standby and active power-saving modes.  
- **Industrial Temperature Range:** -40°C to +85°C.  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring high-speed memory access.