1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100B-60K is a 16Mbit (1M x 16) CMOS Dynamic RAM (DRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 1M words × 16 bits  
- **Density:** 16Mbit  
- **Operating Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 60ns  
- **Refresh Cycles:** 1,024 cycles every 16ms (distributed or burst)  
- **Package:** 50-pin TSOP (Type II)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**
- The IS41LV16100B-60K is a high-speed, low-power DRAM designed for applications requiring high-density memory.  
- It supports fast page mode and extended data output (EDO) mode for improved performance.  
- Fully compatible with JEDEC-standard 3.3V DRAMs.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Current: 120mA (typical)  
  - Standby Current: 10mA (typical)  
- **Fast Page Mode & EDO Mode Operation**  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **Auto & Self-Refresh Capability**  
- **CAS-before-RAS (CBR) Refresh Support**  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs**  

This DRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring reliable, high-speed memory.

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE