1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100B-60TI is a high-speed 1M x 16-bit CMOS synchronous DRAM manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.).  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 16Mb (1M x 16-bit)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Speed:** 60ns (6ns clock cycle time at CL=3)  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Package:** 50-pin TSOP II (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** -40°C to +85°C (Industrial)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **Burst Lengths:** 1, 2, 4, 8, or full-page  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 programmable  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- Internal pipelined operation for high-speed data transfer  
- Auto Refresh (CBR) and Self Refresh modes  
- Programmable burst read and write operations  
- Byte control (UB, LB) for byte-wise access  
- Compatible with JEDEC standards for 3.3V SDRAM  
- Low power consumption with power-down and standby modes  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring high-speed memory access.

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE