1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100B-60TL is a 16Mbit (1M x 16) CMOS Dynamic RAM (DRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Density:** 16Mbit (1M words × 16 bits)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Access Time:** 60ns  
- **Operating Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Package:** 44-pin TSOP II (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Cycles:** 1,024 cycles every 16ms (distributed or burst refresh)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Interface:** Fully synchronous with all signals referenced to a positive clock edge  
- **Refresh Method:** Auto-refresh and self-refresh supported  
- **Burst Length:** Programmable (1, 2, 4, 8, or full-page)  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 120mA (typical)  
  - Standby current: 20mA (typical)  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **Automatic Power-Down Mode**  
- **Four-Bank Operation** for concurrent access  
- **Programmable Burst Read/Write Operations**  
- **Byte Control (Upper/Lower Byte Enable)**  
- **Compatible with JEDEC Standard SDRAMs**  

This DRAM is commonly used in applications requiring high-speed data storage, such as networking equipment, telecommunications, and embedded systems.