1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100S-50T is a 16Mbit (1M x 16) CMOS Dynamic RAM (DRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.).  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 1M x 16  
- **Density:** 16Mbit  
- **Access Time:** 50ns  
- **Operating Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Refresh Cycles:** 1,024 (every 16ms)  
- **Package:** 50-pin TSOP (Type II)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Features:**  
- Fully static operation (no clock required)  
- Low power consumption  
  - Active: 330mA (max)  
  - Standby: 5mA (max)  
- Single 3.3V power supply  
- TTL-compatible inputs and outputs  
- Automatic refresh and self-refresh modes  
- Fast page mode and extended data out (EDO) options  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Networking equipment  
- Telecommunications  
- Consumer electronics  

This DRAM is designed for high-performance, low-power applications requiring moderate memory density.

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100S-50T is a 16Mbit (1M x 16) high-speed CMOS synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by ICSI (Integrated Circuit Solution Inc.).  

### **Specifications:**  
- **Density:** 16Mbit (1M words × 16 bits)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Speed Grade:** 50T (5ns access time, 100MHz operation)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Package:** 54-pin TSOP II (400mil)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **CAS Latency:** 2 or 3 (programmable)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page (programmable)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports 100MHz clock frequency with a 5ns access time.  
- **Synchronous Interface:** All signals are synchronized with the positive edge of the clock.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports both modes for power efficiency.  
- **Programmable Burst Length:** Configurable for 1, 2, 4, 8, or full-page bursts.  
- **Low Power Consumption:** Standby and active power-saving modes.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with standard 3.3V systems.  
- **Four Banks Operation:** Allows concurrent operations for improved performance.  
- **Compliant with JEDEC Standards:** Ensures compatibility with industry-standard SDRAM controllers.  

This SDRAM is commonly used in applications requiring high-speed memory, such as networking equipment, telecommunications, and embedded systems.

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100S-50T is a 16Mbit (1M x 16) CMOS synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI).  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 16Mbit (1M words × 16 bits)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 5.4ns (CL=2) / 6ns (CL=3)  
- **Clock Frequency:** 100MHz (for -50T speed grade)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 programmable  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 54-pin TSOP (Type II)  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- Internal pipelined operation for high-speed data transfer  
- Auto Refresh (CBR) and Self Refresh modes  
- Programmable burst read and write operations  
- Byte control (UB#, LB#) for byte-wise access  
- Low-power standby and sleep modes  
- Compatible with JEDEC-standard SDRAMs  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring high-speed memory access.