1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE The IS41LV16105-50TI is a high-speed CMOS synchronous dynamic RAM (SDRAM) manufactured by Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 1M x 16-bit  
- **Density:** 16 Megabit (2M x 8 or 1M x 16)  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 5.4ns (CL=3)  
- **Operating Frequency:** 143MHz (for -50 speed grade)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles every 64ms  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 programmable  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **Package:** 50-pin TSOP II (400 mil width)  
- **Operating Temperature:** Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- Internal pipelined operation for high-speed data transfer  
- Auto Refresh (CBR) and Self Refresh modes  
- Programmable burst read and write operations  
- Supports sequential and interleaved burst modes  

### **Features:**
- **High Performance:** 143MHz operation with low latency  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes for reduced power usage  
- **Auto Precharge:** Supports auto precharge for efficient memory management  
- **Burst Mode:** Configurable burst lengths for flexible data access  
- **Industrial Temperature Range:** Suitable for harsh environments  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring high-speed memory access.

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE The **IS41LV16105-50TI** is a high-speed CMOS synchronous DRAM manufactured by **ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 16Mbit (1M x 16)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Speed:** 50ns (max access time)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Package:** 50-pin TSOP II (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **Operating Temperature:** Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer  
- **Burst Mode Support:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full-page)  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes  
- **CAS Latency Options:** 2 or 3 cycles  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption  
- **Fully Compatible with JEDEC Standards**  

This DRAM is commonly used in applications requiring high-speed memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.