1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE The IS41LV16105-50T is a high-speed 16Mbit (1M x 16) CMOS synchronous DRAM manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16Mbit (1,048,576 words Ã— 16 bits)  
- **Organization:** 1M Ã— 16  
- **Voltage Supply:** 3.3V Â± 0.3V  
- **Speed Grade:** 50T (50ns access time)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** 50-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions:**
- The IS41LV16105-50T is a synchronous DRAM (SDRAM) designed for high-performance applications requiring fast data access.  
- It operates in sync with the system clock, enabling efficient data transfer rates.  
- Features a fully synchronous pipeline architecture for high-speed operation.  
- Supports burst mode for sequential data access.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled command and data operations.  
- **Burst Mode Support:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **CAS Latency Options:** Configurable (2 or 3 cycles).  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  
- **Compatible with JEDEC Standards:** Ensures industry-standard compliance.  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, embedded systems, and other high-speed memory applications.

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE The **IS41LV16105-50T** is a 16Mbit (1M x 16) CMOS Synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by **ICSI (Integrated Circuit Solution Inc.)**.  

### **Specifications:**  
- **Density:** 16Mbit (1M words Ã— 16 bits)  
- **Organization:** 1,048,576 words Ã— 16 bits  
- **Operating Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** 50T (5ns access time, 100MHz operation)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 (programmable)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page (programmable)  
- **Package:** 50-pin TSOP II (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Fully synchronous, all signals referenced to a positive clock edge  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Features:**  
- **Auto Refresh & Self Refresh** modes supported  
- **Programmable Burst Read & Write** operations  
- **Single 3.3V Â±0.3V Power Supply**  
- **Low Power Consumption** (standby and active modes)  
- **Compatible with JEDEC Standard** SDRAM specifications  
- **Four Internal Banks** for concurrent operation  
- **Sequential or Interleaved Burst Mode**  

This SDRAM is commonly used in **embedded systems, networking devices, and consumer electronics** requiring high-speed memory access.  

Would you like additional details on pin configurations or timing diagrams?