4Mx16 (64-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16400-50T is a 16Mbit (1M x 16) CMOS Dynamic RAM (DRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Density:** 16Mbit (1,048,576 words × 16 bits)  
- **Organization:** 1M × 16  
- **Access Time:** 50ns  
- **Operating Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Refresh Cycles:** 4,096 cycles every 64ms  
- **Package:** 50-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Interface:** Fully synchronous with a single 3.3V power supply  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh and self-refresh supported  
- **Burst Length:** Programmable (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 120mA (typical)  
  - Standby current: 20mA (typical)  
  - Self-refresh current: 2mA (typical)  
- **High-Speed Operation:**  
  - Clock frequency: 100MHz (for -50T speed grade)  
- **Burst Read/Write Operations**  
- **Auto Precharge Option**  
- **Compatible with JEDEC Standards**  
- **On-Chip Pipelining for High Bandwidth**  
- **Single 3.3V Power Supply**  

This DRAM is commonly used in applications requiring moderate-speed memory with low power consumption, such as networking devices, embedded systems, and consumer electronics.

4Mx16 (64-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE