256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM The IS42S16160B-6TLI is a synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:
### **Specifications:**  
- **Density:** 256Mb (16M x 16)  
- **Organization:** 4 banks x 4M words x 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V ±0.3V  
- **Speed:** -6 (166MHz @ CL3)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil)  
### **Descriptions:**  
- The IS42S16160B-6TLI is a high-speed CMOS SDRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- It supports fully synchronous operation with a single 3.3V power supply.  
- Features programmable burst lengths, sequential or interleaved burst ordering, and auto refresh/self refresh modes.  
### **Features:**  
- **Fully Synchronous:** All signals are registered on the positive edge of the clock.  
- **Programmable Burst Length:** Supports 1, 2, 4, 8, or full-page bursts.  
- **CAS Latency Options:** 2 or 3 (programmable).  
- **Auto Precharge:** Supports auto precharge for efficient operation.  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes reduce power usage.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with standard 3.3V systems.  
- **Industrial-Grade Option:** Available for extended temperature range (-40°C to +85°C).  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for the IS42S16160B-6TLI.