1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM The **IS42S16400C1-7T** is a **16Mbit (1M x 16) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16Mbit (1M words Ã— 16 bits)  
- **Organization:** 1 Meg Ã— 16  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** -7T (7ns access time, 143MHz operating frequency)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles every 64ms  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 (programmable)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page (programmable)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil width)  

### **Descriptions:**
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply.  
- Internal pipelined architecture for high-speed data transfer.  
- Supports auto-refresh and self-refresh modes.  
- Programmable burst read and write operations.  
- Compatible with JEDEC-standard SDRAMs.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:** Auto and self-refresh modes reduce power usage.  
- **High Performance:** Up to 143MHz clock frequency.  
- **Multiple Burst Modes:** Supports sequential and interleaved burst types.  
- **Single Clock Edge Operation:** Commands latched on the rising edge of the clock.  
- **Four Banks Operation:** Allows concurrent operations for improved efficiency.  

This SDRAM is commonly used in **networking, telecommunications, consumer electronics, and embedded systems** requiring high-speed memory access.  

(Source: ISSI Datasheet for IS42S16400C1-7T)