512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM The IS45S16100C1-7TLA is a high-speed CMOS synchronous DRAM manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16Mbit (1M x 16)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** -7 (7ns access time)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  

### **Descriptions:**
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Interface:** Fully synchronous with a single 3.3V power supply  
- **Burst Length:** Programmable (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles)  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supported  
- **Burst Read/Write Operations:** Enabled for high-speed data transfer  

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** 7ns clock cycle time (143MHz)  
- **Pipelined Architecture:** Allows for high-speed data access  
- **Auto Precharge:** Configurable for efficient memory management  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes supported  
- **On-Chip Refresh Counter:** Simplifies system design  
- **Compatible with JEDEC Standards:** Follows industry-standard SDRAM specifications  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring high-speed memory access.

512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM The IS45S16100C1-7TLA is a 16M x 16-bit (256Mb) SDRAM manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Density:** 256Mb (16M x 16-bit)  
- **Organization:** 16,777,216 words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** -7 (143 MHz clock frequency)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 (64ms refresh interval)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400 mil width)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Burst Length:** Programmable (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3 programmable  
- **Auto Refresh & Self Refresh Modes**  
- **Data Mask (DM) for Write Control**  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation (all signals registered on positive clock edge)  
- **Internal Pipelined Architecture** for high-speed operation  
- **Auto Precharge & Power-Down Modes**  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **LVTTL-Compatible Inputs/Outputs**  
- **RoHS Compliant**  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring high-speed memory access.  

(Note: The "06+" in the part number may refer to a date code or revision, but ISSI does not publicly specify this in their datasheets.)