512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM The **IS45S16100E** is a high-speed CMOS synchronous DRAM manufactured by **ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16M x 16 (256Mb)  
- **Organization:** 16,777,216 words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grades:** -6, -7, -8 (6ns, 7ns, 8ns access times)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Interface:** Fully synchronous with a single 3.3V power supply  
- **Burst Length:** Programmable (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 cycles  
- **Auto Refresh & Self Refresh Modes**  
- **Low Power Consumption:** Standby and sleep modes supported  

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** Up to 166MHz clock frequency  
- **Burst Read & Write Operations**  
- **Programmable Burst Length & Sequential/Interleave Mode**  
- **Auto Precharge Option**  
- **Compatible with JEDEC SDRAM Standards**  
- **On-Chip Pipelined Architecture for High Performance**  
- **Single 3.3V Power Supply**  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring high-speed memory access.