32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM The IS45S83200D-7TLA1 is a 256Mb (32M x 8) high-speed CMOS synchronous DRAM manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.).  

### **Specifications:**  
- **Density:** 256Mb (32M words × 8 bits)  
- **Organization:** 32,768 rows × 1,024 columns × 8 banks  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed Grade:** -7 (143MHz clock frequency)  
- **Access Time:** 5.4ns (CL=3)  
- **Interface:** Synchronous (all signals referenced to CLK)  
- **Burst Lengths:** 1, 2, 4, 8, and full page  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3 programmable  
- **Refresh Cycles:** 8,192 refresh cycles every 64ms (auto-refresh & self-refresh)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil width)  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation  
- Programmable burst length and CAS latency  
- Auto refresh (CBR) and self-refresh modes  
- Auto precharge option  
- Power-down mode for reduced standby current  
- Single 3.3V power supply  
- LVTTL-compatible inputs and outputs  
- RoHS compliant  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring high-speed memory access.

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM