WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS The IS61C256 is a high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI).  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 32K x 8 (256K-bit)  
- **Voltage Supply:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 12ns, 15ns, 20ns, 25ns, 35ns (depending on speed grade)  
- **Operating Current:** 40mA (typical)  
- **Standby Current:** 10μA (typical)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) / Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Options:** 28-pin DIP, 28-pin SOJ, 28-pin TSOP  
- **Tri-State Outputs:** Yes  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Yes  

### **Descriptions and Features:**  
- High-performance asynchronous SRAM  
- Low power consumption in both active and standby modes  
- Directly replaces 62256 SRAMs  
- Data retention voltage as low as 2V  
- Industrial-grade versions available for extended temperature ranges  
- Three-state outputs for bus compatibility  
- CMOS technology for low power and high speed  

The IS61C256 is commonly used in embedded systems, networking devices, and other applications requiring fast, reliable SRAM.

WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS