256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM The **IS61LPS25636A-200TQ2I** is a **256K x 36 (9-Mbit) low-power synchronous SRAM** manufactured by **Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 256K x 36 (9 Mbit)  
- **Operating Voltage:** 3.3V (±10%)  
- **Speed:** 200 MHz (5 ns clock-to-data access)  
- **Operating Temperature:** -40°C to +85°C (Industrial)  
- **Package:** 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Package)  
- **I/O Type:** Common I/O (CIO)  
- **Cycle Time:** 5 ns  
- **Access Time:** 5 ns (clock-to-data)  
- **Power Consumption:** Low-power operation (standby and active modes available)  

### **Descriptions:**
- **Synchronous Operation:** Uses a clock signal for precise data transfer timing.  
- **Pipelined and Flow-Through Output Options:** Supports both pipelined (registered) and flow-through (non-registered) outputs.  
- **Burst Mode Support:** Supports linear or interleaved burst sequences.  
- **Byte Write Control:** Individual byte write enables for flexible data handling.  
- **Self-Timed Write Cycle:** Simplifies write operation timing.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 200 MHz operation with 5 ns access time.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Industrial Temperature Range:** Suitable for harsh environments (-40°C to +85°C).  
- **3.3V Operation:** Compatible with standard low-voltage systems.  
- **JTAG Boundary Scan (IEEE 1149.1):** Supports board-level testing.  
- **ZQ Pin for Impedance Matching:** Enhances signal integrity.  

This SRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring high-speed, low-power memory.  

(Source: ISSI Datasheet for IS61LPS25636A series)