256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY The **IS61LV25616AL-10B** is a high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by **Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 256K x 16 (4 Mbit)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 10 ns  
- **Operating Current:** 80 mA (typical)  
- **Standby Current:** 5 mA (typical)  
- **Package:** 44-pin TSOP Type II  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **I/O Type:** 3.3V CMOS  

### **Descriptions:**
- The **IS61LV25616AL-10B** is a **low-voltage, high-performance SRAM** designed for applications requiring fast access times and low power consumption.  
- It features a **16-bit wide data bus** and is organized as **262,144 words × 16 bits**.  
- The device is **fully static**, meaning no refresh cycles are required.  
- It supports **asynchronous operation** with separate control signals for read and write operations.  

### **Features:**
- **High-Speed Access:** 10 ns access time  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 80 mA (typical)  
  - Standby current: 5 mA (typical)  
- **Wide Voltage Range:** 3.3V ±10%  
- **CMOS Technology:** Low standby power  
- **Three-State Outputs:** TTL-compatible  
- **Data Retention:** Guaranteed in standby mode with reduced voltage (2.0V min)  
- **Automatic Power-Down:** When deselected  
- **Industrial Standard Pinout:** Compatible with other 256K x 16 SRAMs  

This SRAM is commonly used in **networking, telecommunications, embedded systems, and other high-speed memory applications**.  

Would you like additional details on any specific aspect?