64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY The IS61LV6416-10B is a high-speed 64K x 16 Static RAM (SRAM) manufactured by Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 1,048,576 bits (64K x 16)
- **Organization:** 65,536 words x 16 bits
- **Supply Voltage:** 3.3V (±10%)
- **Access Time:** 10 ns
- **Operating Current:** 70 mA (typical)
- **Standby Current:** 5 mA (typical)
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package:** 44-pin TSOP-II (Type II)
- **Pin Configuration:** Compatible with industry-standard 64K x 16 SRAMs

### **Descriptions:**
- The IS61LV6416-10B is a low-power CMOS SRAM designed for high-performance applications.
- It features a fully static operation, meaning no refresh cycles are required.
- The device supports asynchronous operation with separate byte controls (UB#, LB#) for upper and lower byte access.
- It is suitable for battery-backed or low-power systems due to its low standby current.

### **Features:**
- **High-Speed Access Time:** 10 ns (max)
- **Low Power Consumption:**
  - Active current: 70 mA (typical)
  - Standby current: 5 mA (typical)
- **Single 3.3V Power Supply**
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh needed
- **Three-State Outputs**
- **Byte Control (UB#, LB#):** Allows independent upper/lower byte access
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs**
- **Industrial Temperature Support (-40°C to +85°C)**
- **Lead-Free and RoHS Compliant**

This SRAM is commonly used in networking, telecommunications, embedded systems, and other applications requiring fast, low-power memory.

64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY The IS61LV6416-10B is a high-speed 64K x 16 static RAM (SRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 64K x 16 (1,048,576 bits)  
- **Supply Voltage:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 10 ns  
- **Operating Current (Typical):** 70 mA (active)  
- **Standby Current (Typical):** 5 mA (CMOS level)  
- **I/O Type:** 3.3V CMOS compatible  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 44-pin TSOP II (Type II)  

### **Descriptions and Features:**
- **High-Speed Performance:** 10 ns access time for fast read/write operations.  
- **Low Power Consumption:** Features both active and standby power-saving modes.  
- **CMOS Technology:** Ensures low power dissipation.  
- **Fully Static Operation:** No refresh or clock required.  
- **Three-State Outputs:** Supports bus-oriented applications.  
- **Byte Control:** Two active-low Byte Enable signals (UB#, LB#) for independent byte access.  
- **Easy Interfacing:** Compatible with 3.3V microprocessors and controllers.  
- **Reliable Operation:** Industrial-grade temperature range available for harsh environments.  

This SRAM is commonly used in embedded systems, networking equipment, and other applications requiring fast, low-power memory.