256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM The IS61NLF51236-6.5B3I is a high-speed synchronous SRAM manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Density:** 36Mb (512K x 72)  
- **Organization:** 512K words × 72 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±10%)  
- **Speed:** 6.5ns access time  
- **Operating Temperature Range:** Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Interface:** Synchronous (Pipelined)  
- **I/O Type:** Common I/O (CIO)  

### **Descriptions:**
- The IS61NLF51236-6.5B3I is a high-performance synchronous SRAM designed for applications requiring fast data access and high bandwidth.  
- It supports burst mode operations for efficient data transfer.  
- The device is commonly used in networking, telecommunications, and high-speed computing applications.  

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** 6.5ns access time for fast read/write operations.  
- **Synchronous Pipelined Operation:** Enables high-speed data processing with minimal latency.  
- **Burst Mode Support:** Sequential burst lengths of 2, 4, 8, or full-page for optimized data flow.  
- **3.3V Power Supply:** Low power consumption with standard CMOS technology.  
- **Industrial Temperature Range:** Suitable for harsh operating environments.  
- **Common I/O (CIO) Architecture:** Simplifies system design by using shared input/output pins.  
- **Byte Write Control:** Allows individual byte writes for flexible data management.  
- **JTAG Boundary Scan (Optional):** Supports IEEE 1149.1 for testability.  

This information is based on ISSI's official documentation for the IS61NLF51236-6.5B3I. For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the datasheet.