256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM The IS62WV25616BLL-70T is a high-performance CMOS static RAM (SRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Organization:** 256K words × 16 bits (4Mbit)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 70ns  
- **Operating Current:** 25mA (typical)  
- **Standby Current:** 10μA (typical)  
- **Operating Temperature Range:**  
  - Commercial: 0°C to +70°C  
  - Industrial: -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 44-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Pin Count:** 44  

### **Descriptions:**
- The IS62WV25616BLL-70T is a low-power SRAM designed for applications requiring high-speed data access and low power consumption.  
- It features a fully static operation, meaning no refresh cycles are required.  
- The device is compatible with most microcontrollers and processors operating at 3.3V.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 70ns access time.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 25mA (typical).  
  - Standby current: 10μA (typical) with CMOS input levels.  
- **Wide Voltage Range:** Operates at 3.3V ±10%.  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required.  
- **Tri-State Outputs:** Allows direct connection to a common bus.  
- **Byte Control:** Supports upper and lower byte access via UB# (Upper Byte) and LB# (Lower Byte) control pins.  
- **Industrial Temperature Support:** Available in industrial-grade (-40°C to +85°C).  
- **TSOP-II Package:** Compact form factor suitable for space-constrained applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM The IS62WV25616BLL-70T is a high-performance CMOS static RAM (SRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 256K x 16 (4Mbit)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (VDD = 2.7V to 3.6V)  
- **Access Time:** 70ns  
- **Operating Current:** 25mA (typical)  
- **Standby Current:** 5µA (typical)  
- **Package:** 44-pin TSOP II  
- **Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Organization:** 262,144 words × 16 bits  

### **Descriptions:**
- The IS62WV25616BLL-70T is a low-power SRAM designed for applications requiring high-speed and low-voltage operation.  
- It features a fully static memory cell design, eliminating the need for external refresh.  
- The device supports asynchronous operation with separate byte controls (UB and LB) for byte-wise read/write operations.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 70ns access time.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 25mA (typical).  
  - Standby current: 5µA (typical) with CMOS input levels.  
- **Wide Voltage Range:** Operates from 2.7V to 3.6V.  
- **Tri-State Outputs:** Allows direct connection to a common data bus.  
- **Byte Control:** Supports upper (UB) and lower (LB) byte access.  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required.  
- **Industrial Standard Pinout:** Compatible with other 4Mbit SRAMs.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant.**  

This SRAM is commonly used in embedded systems, networking equipment, and other applications requiring reliable, low-power memory.