512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM The **IS62WV5128BLL-55TI** is a **512K x 8-bit (4Mbit) low-power CMOS static RAM (SRAM)** manufactured by **Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 512K × 8-bit  
- **Density:** 4 Megabits (4Mb)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 55 ns  
- **Operating Current:** 25 mA (typical)  
- **Standby Current:** 10 µA (typical)  
- **Operating Temperature:** Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 44-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 25 mA (typical)  
  - Standby current: 10 µA (typical)  
- **Wide Voltage Range:** 3.0V to 3.6V  
- **Fully Static Operation:** No refresh required  
- **Tri-State Outputs:** Compatible with common microcontrollers  
- **High-Speed Access Time:** 55 ns  
- **Industrial Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This SRAM is commonly used in **embedded systems, networking equipment, industrial controls, and consumer electronics** where low-power, high-reliability memory is required.

512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM The IS62WV5128BLL-55TI is a SRAM (Static Random Access Memory) chip manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.). Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 512K x 8 (4 Mbit)  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Access Time:** 55 ns  
- **Operating Temperature:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 44-pin TSOP II  
- **Interface:** Parallel  
- **Standby Current:** Low power consumption in standby mode  

### **Descriptions:**
- The IS62WV5128BLL-55TI is a high-speed CMOS static RAM designed for applications requiring fast data access and low power consumption.  
- It is commonly used in embedded systems, networking equipment, and industrial applications.  
- The chip supports asynchronous operation, allowing for easy interfacing with microcontrollers and processors.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 55 ns access time.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Wide Operating Voltage:** 3.3V ±10%.  
- **Industrial Temperature Range:** Suitable for harsh environments (-40°C to +85°C).  
- **TSOP II Package:** Compact and space-efficient.  
- **Asynchronous Operation:** No clock required for read/write operations.  
- **Data Retention:** Ensures stability during power fluctuations.  

This SRAM is designed for reliability and performance in various electronic systems.