Silicon Power Diodes **Part ID:** B06E60  
**Manufacturer:** Infineon  
### **Specifications:**  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 6A  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Technology:** TrenchStop™  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Switching Speed:** Optimized for high efficiency  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
### **Descriptions:**  
- The B06E60 is a high-performance IGBT designed for power switching applications.  
- It features Infineon’s TrenchStop™ technology for reduced conduction and switching losses.  
- Suitable for motor drives, inverters, and other industrial applications.  
### **Features:**  
- Low saturation voltage (VCE(sat))  
- Fast switching capability  
- High ruggedness and reliability  
- Low electromagnetic interference (EMI)  
- Pb-free and RoHS compliant  
(Note: For detailed datasheet information, refer to Infineon’s official documentation.)