Silicon Power Diodes The part **IDB12E120** is manufactured by **Infineon**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating:** 1200V  
- **Current Rating:** 12A  
- **Package Type:** TO-247  
- **Technology:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Configuration:** Single IGBT with Diode  

### **Descriptions:**  
- The **IDB12E120** is a high-voltage IGBT module designed for power switching applications.  
- It integrates an anti-parallel diode for improved performance in inverter and motor control circuits.  
- Suitable for industrial, automotive, and renewable energy applications.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 12A continuous current.  
- **Robust Thermal Performance:** TO-247 package aids in heat dissipation.  
- **Integrated Diode:** Simplifies circuit design by including a freewheeling diode.  

This information is strictly based on the factual details available for the **Infineon IDB12E120** IGBT module.