Silicon Power Diodes The **IDB23E60** is a power module manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Module Type:** Dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Power Module  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 23A  
- **Configuration:** Dual (2 IGBTs in a single package)  
- **Package Type:** Industry-standard module (e.g., TO-247 or similar)  
- **Switching Frequency:** Suitable for medium-frequency applications  
- **Isolation Voltage:** High isolation capability (exact value depends on module variant)  

### **Descriptions:**
- The **IDB23E60** is designed for power conversion applications, including motor drives, inverters, and industrial power supplies.  
- It integrates two IGBTs with anti-parallel diodes in a single module, reducing system complexity.  
- The module is optimized for efficiency and thermal performance in high-power switching applications.  

### **Features:**
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Integrated Diodes:** Includes freewheeling diodes for inductive load handling.  
- **High Reliability:** Robust construction for industrial environments.  
- **Temperature Monitoring:** Some variants may include thermal sensing for protection.  

For exact mechanical dimensions, thermal characteristics, or application-specific details, refer to the official **Infineon datasheet** for the **IDB23E60**.