Silicon Power Diodes The part IDB30E120 is manufactured by INFINEON. Here are the specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDSS):** 1200V  
- **Current Rating (IC):** 30A  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** Typically 2.1V at 30A  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Suitable for motor drives, inverters, and power supplies.  
- Robust construction for industrial and automotive applications.  
### **Features:**  
- Low conduction and switching losses.  
- High short-circuit capability.  
- Positive temperature coefficient for easy paralleling.  
- Integrated freewheeling diode for improved efficiency.  
For exact datasheet details, refer to the official INFINEON documentation.