### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 600 V  
- **Current Rating (ID):** 30 A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 167 W  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.06 Ω (max at VGS = 10 V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50 pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The IDB30E60 is a high-voltage, N-channel MOSFET from Infineon, designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for industrial, automotive, and power supply applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications  
- **Avalanche Rated:** Robust against voltage spikes  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses  
- **High Current Handling:** 30 A continuous current rating  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal performance  

This MOSFET is optimized for applications such as motor drives, inverters, and power supplies where high efficiency and reliability are critical.