Silicon Power Diodes The **Infineon IDD09E60** is a power MOSFET designed for high-efficiency applications. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IDD09E60  
- **Technology:** CoolMOS™ E6 (Superjunction MOSFET)  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 9A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max)  
- **Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power conversion in SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, and industrial applications.  
- Utilizes Infineon’s CoolMOS™ E6 technology for low conduction and switching losses.  
- Optimized for fast switching and high thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses in high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Suitable for 600V applications.  
- **Robustness:** High avalanche ruggedness and reliability.  
- **Eco-Friendly:** Compliant with RoHS and halogen-free standards.  

For detailed datasheets, refer to Infineon’s official documentation.