### **Specifications:**  
- **Voltage Rating:** 1200V  
- **Current Rating:** 4A  
- **Package:** DIP-4  
- **Technology:** Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode  
- **Forward Voltage (Vf):** Typically 1.7V (at 4A, 25°C)  
- **Reverse Leakage Current (Ir):** Typically <10µA (at 1200V, 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
The IDP04E120 is a high-performance Silicon Carbide (SiC) Schottky diode designed for high-voltage, high-efficiency applications. It offers low switching losses and high thermal conductivity, making it suitable for power electronics, renewable energy systems, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Zero Reverse Recovery Current:** Reduces switching losses.  
- **High Surge Current Capability:** Robust performance under transient conditions.  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances efficiency.  
- **High-Temperature Operation:** Reliable performance in harsh environments.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This diode is ideal for power factor correction (PFC), DC-DC converters, and motor drives.