### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 900 V  
- **Current Rating (ID):** 9 A  
- **RDS(on) (Max):** 120 mΩ  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Technology:** CoolMOS™ P7  
- **Gate Charge (Qg):** 35 nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200 pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 70 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- High-voltage power MOSFET designed for efficient switching applications.  
- Part of Infineon’s CoolMOS™ P7 series, optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for power supplies, lighting, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Superjunction Technology:** Enables high efficiency and power density.  
- **Low RDS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.