### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 60 V  
- **Current Rating (ID):** 9 A (continuous)  
- **RDS(on) (max):** 40 mΩ (at VGS = 10 V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0 V (min) - 2.5 V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The IPD09E60 is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-state resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Optimized for synchronous rectification in SMPS  

This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications.