2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode The **IDT04S60C** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** Power MOSFET (CoolMOS™ C7)  
- **Voltage Rating (VDS):** 600 V  
- **Current Rating (ID):** 4 A (continuous)  
- **RDS(on) (Max):** 2.5 Ω (at VGS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 31 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **IDT04S60C** is part of Infineon’s **CoolMOS™ C7** family, optimized for high efficiency and low switching losses.  
- It is designed for **switching power supplies, lighting, and industrial applications**.  
- The device features **fast switching performance** and **low gate charge**, improving efficiency in high-frequency applications.  

### **Features:**
- **Low RDS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on Infineon’s technical documentation for the **IDT04S60C**. For detailed application notes, refer to the official datasheet.