EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRA105S** is manufactured by **KEC** (Korea Electronics Company).  

### **Specifications:**  
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Reverse Voltage (VR):** 50V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1V (typical at 1A)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** Fast recovery type  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DO-41 (Axial Lead)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Designed for low forward voltage drop.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Reliable Performance:** Robust construction for stable operation.  
- **General Purpose:** Used in power supplies, rectification circuits, and freewheeling diodes.  

For detailed datasheets, refer to **KEC’s official documentation**.