EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRA106M is a rectifier diode manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 600V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.0V (typical at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 5μA (maximum at rated voltage)  
- **Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The KRA106M is a general-purpose rectifier diode designed for power supply and switching applications.  
- It is housed in a DO-41 package, which is a standard through-hole diode package.  
- Suitable for low to medium frequency rectification.  

### **Features:**
- High reliability and low leakage current.  
- Fast reverse recovery time.  
- High surge current capability.  
- RoHS compliant (lead-free).  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.