EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) Here are the factual details about part **KRA109M** from the manufacturer **KEC**:

### **Specifications**  
- **Part Number:** KRA109M  
- **Manufacturer:** KEC  
- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** General-purpose amplification and switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1.5A  
- **Power Dissipation (PC):** 1W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions**  
- The **KRA109M** is a **PNP silicon transistor** designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It features **high current capability** and **low saturation voltage**, making it suitable for driver circuits and power control.  

### **Features**  
- **High current gain (hFE)**  
- **Low collector-emitter saturation voltage**  
- **Epitaxial planar construction for reliability**  
- **Suitable for surface-mount applications (SOT-23 package)**  

For exact performance characteristics, refer to the official **KEC datasheet**.