EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRA113S is a PNP transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320 (depending on operating conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92 (plastic-encapsulated)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits due to its 1W power dissipation rating.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Commonly used in audio amplifiers, signal processing, and driver stages.  
- Features moderate current gain (hFE) for stable performance in various circuits.  

For exact performance characteristics, refer to the official KEC datasheet.