EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRA116S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Co., Ltd.)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55V (at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (at VR = 60V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Package:** SOD-123 (Surface Mount Device)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Schottky Barrier Structure:** Provides low forward voltage drop and fast switching characteristics.  
- **High Efficiency:** Suitable for high-frequency rectification and power supply applications.  
- **Low Power Loss:** Minimizes energy dissipation due to low VF.  
- **Surface Mount Package (SOD-123):** Compact and suitable for automated PCB assembly.  
- **Applications:** Used in power supplies, DC-DC converters, reverse polarity protection, and freewheeling diodes.  

This information is sourced from KEC's official documentation. For detailed datasheets, refer to KEC's official website or authorized distributors.