EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRA117S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 600MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-frequency and low-noise amplification applications.  
- Suitable for RF and VHF circuits.  
- Epitaxial planar structure ensures stable performance.  
- Compact and reliable for use in electronic devices.  

For exact datasheet details, refer to the official KEC documentation.