EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRA118S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** General-purpose amplification and switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **Storage Temperature (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High current gain (hFE):** Typically 120 to 400  
- **Low saturation voltage**  
- **Designed for general-purpose amplification and switching applications**  
- **Available in TO-92 package**  

This transistor is commonly used in low-power amplification and switching circuits.  

Would you like any additional details?